記憶體中的幽靈捷徑：揭開AI加速的關鍵秘密

韓國浦項科技大學(POSTECH)的研究團隊取得重大突破，首度破解了電化學隨機存取記憶體(ECRAM)的運作機制。這項發現可能徹底改變人工智慧的運算效率，讓你的手機、筆電和平板電腦不僅速度更快，續航力也更持久。

在AI技術快速發展的當下，傳統運算架構面臨瓶頸。由於記憶體與處理器分離，資料必須不斷來回傳輸，既耗時又耗能。為瞭解決這個問題，科學家們正全力發展「記憶體內運算」技術，而ECRAM正是實現這個概念的關鍵。

由POSTECH材料科學與工程學系的金世永教授、IBM華生研究中心的Oki Gunawan博士等人組成的團隊，開發出創新的多端點結構ECRAM裝置。他們運用「平行偶極線霍爾系統」，首次觀察到從超低溫(-223°C)到常溫下，ECRAM內部的電子動態變化。

研究發現，ECRAM中的氧空缺會形成淺施主能階(~0.1 eV)，就像為電子開闢了一條「幽靈捷徑」，讓電子能夠自由移動。更重要的是，這種機制即使在極低溫環境下依然穩定運作，顯示出ECRAM裝置的優異可靠度。

金世永教授強調：「這項研究首次透過實驗證實了ECRAM在不同溫度下的切換機制。這項技術一旦商業化，將能大幅提升AI運算速度，同時延長行動裝置的電池續航力。」相關研究成果已發表在頂尖期刊《自然通訊》上。

這項研究獲得韓國貿易工業能源部(MOTIE)支援的K-CHIPS計畫資助，為半導體技術的未來發展開闢了新道路。