【科技突破】6G自駕通訊新曙光：UNIST研發革命性超低功耗半導體開關

由UNIST（蔚山科學技術院）主導的國際研究團隊，成功開發出專為6G通訊與自駕技術設計的創新半導體元件。這項突破性技術不僅具備「零待機功耗」特性，更能整合至可調式濾波電路，為未來通訊裝置的小型化與節能化開創全新可能。

該研究由UNIST電機工程學系金明洙教授與半導體材料元件工程研究所尹泰錫教授共同領導，團隊運用氧化釩(VO_x)材料開發出非揮發性射頻(RF)開關，相關論文已發表於頂尖期刊《Advanced Science》。

在現代無線通訊系統中，RF開關扮演關鍵角色，無論是自駕系統、智慧型手機或VR/AR裝置，都需要這類元件來精確控制高頻訊號的路徑切換。傳統開關需持續消耗待機電力，但新開發的憶阻器結構使其能在斷電後仍保持設定狀態，徹底解決功耗問題。

這款革命性開關具備三大技術優勢：
1. 奈秒級切換速度（僅數十億分之一秒）
2. 工作頻寬最高達67GHz
3. 開啟狀態插入損耗低於0.46分貝，關閉隔離度超過20分貝

模擬測試更顯示，該元件理論上可支援4.5THz超高頻運作，創下氧化物基RF開關的最高截止頻率紀錄。研究團隊更進一步開發出具600MHz可調範圍的帶通濾波器，這種多頻段設計能大幅簡化電路配置，特別適合高整合度的無線通訊裝置。

金明洙教授強調：「這種憶阻器RF開關展現了將頻率選擇性與能源效率完美結合的潛力，將成為次世代無線通訊系統的關鍵元件。」隨著6G與自駕技術快速發展，這項突破可望為通訊裝置帶來革命性的微型化與節能解決方案。

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